Efectos de dispersion en transistores de efecto campo basados en compuestos iii-v: estudio, caracterización y modelado

Resumen:

LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN COMPUESTOS III-V, CONCRETAMENTE EL GaN, PRESENTAN UNA SERIE DE DEFICIENCIAS EN SU RENDIMIENTO, ATRIBUIDAS A DIFERENTES FACTORES. EL ESTUDIO DE LA SUPERFICIE DE LOS MISMOS ES UNA PIEZA CLAVE PARA EL ENTENDIMIENTO DE ESTAS DEFICIENCIAS, Y ES A TRAVÉS DE ESTA TESIS DONDE SE INTENTA DAR CIERTA LUZ A ALGUNOS PROBLEMAS QUE APARECEN EN LA MISMA. EN ESTE TRABAJO ES ANALIZADA LA CARACTERIZACIÓN ELECTRICA, EN DC Y BAJA FRECUENCIA, DE DISPOSITIVOS DE ALTA MOVILIDAD DE ELECTRONES (HEMT) DE AlGaN/GaN, DISCUTIENDO LOS EFECTOS OBSERVADOS. SE IMPLEMENTA UN MODELO FISICO BIDIMENSIONAL DE DISPOSITIVOS MESFET DE GaN Y HEMT DE AlGaN/GaN, ANALIZANDO Y DISCUTIENDO LA PRESENCIA DE ESTADOS ESTÁTICOS Y DINÁMICOS EN LAS SUPERFICIES DE LOS DISPOSITIVOS, REALIZANDO UNA COMPARACIÓN ENTRE RESULTADOS TEÓRICOS Y EXPERIMENTALES OBTENIDOS A TRAVÉS DE LAS PRUEBAS DE LABORATORIO