Caracterizacion y desarrollo de estructuras nanometricas de silicio para aplicaciones optoelectronicas



Autor:

martin palma raul jose

Universidad:

autónoma de madrid

Departamento:

Informacion no disponible

Fecha de lectura:

22-03-2000

Director:


martinez duart jose manuel
TRIBUNAL

Presidente:

piqueras piqueras, juan

Secretario:

agullo rueda, fernando

Vocal:

gonzalez diaz, german

Vocal:

marcos laguna maria luisa

Vocal:

gonzalez calbet jose maria


Descriptores:


line

Resumen:


Se han desarrollado dispositivos basados en nanoestructuras de silicio para su utilización como fotodiodos y células solares. Para su uso tanto en éstos como en otros dispositivos optoelectrónicos, han sido estudiadas las propiedades electrónicas de transporte a través de dichas nanoestructuras, estableciéndose una relación entre los parámetros electrónicos y morfología, estudiada mediante diversas microscopías. Han sido además analizadas las propiedades ópticas de diferentes capas nanomcetricas de silicio. Finalmetne, se han analizado diversos mecanismos de degradación de los dispositivos desarrollados.